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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
7.3
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3436
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
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