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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
12.3
17.3
写入速度,GB/s
7.3
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3632
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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