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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
23
读取速度,GB/s
12.3
16.7
写入速度,GB/s
7.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2661
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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