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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
12.3
21.0
写入速度,GB/s
7.3
15.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3458
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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