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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
73
读取速度,GB/s
12.3
13.4
写入速度,GB/s
7.3
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
1468
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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