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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
12.3
10.9
写入速度,GB/s
7.3
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2370
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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