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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
35
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
17
读取速度,GB/s
12.3
21.1
写入速度,GB/s
7.3
19.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3829
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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