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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
49
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
49
读取速度,GB/s
12.3
9.8
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2277
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Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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