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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
70
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
37
读取速度,GB/s
4,372.7
21.4
写入速度,GB/s
3,071.4
14.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3448
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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最新比较
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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