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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
70
左右 -204% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
23
读取速度,GB/s
4,372.7
18.0
写入速度,GB/s
3,071.4
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3070
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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