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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
70
左右 -180% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
25
读取速度,GB/s
4,372.7
14.3
写入速度,GB/s
3,071.4
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2870
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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