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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
70
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
28
读取速度,GB/s
4,372.7
18.3
写入速度,GB/s
3,071.4
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3535
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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