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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
70
左右 -126% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
31
读取速度,GB/s
4,372.7
17.3
写入速度,GB/s
3,071.4
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3091
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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