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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
70
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
30
读取速度,GB/s
4,372.7
17.8
写入速度,GB/s
3,071.4
15.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3628
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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