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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
70
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
29
读取速度,GB/s
4,372.7
16.9
写入速度,GB/s
3,071.4
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3285
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
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