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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
70
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
29
读取速度,GB/s
4,372.7
16.9
写入速度,GB/s
3,071.4
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2601
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
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