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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
70
左右 -112% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
33
读取速度,GB/s
4,372.7
16.9
写入速度,GB/s
3,071.4
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3134
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB RAM的比较
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
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Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
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