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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
70
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
29
读取速度,GB/s
4,372.7
16.9
写入速度,GB/s
3,071.4
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3191
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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