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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
70
左右 -218% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
22
读取速度,GB/s
4,372.7
18.5
写入速度,GB/s
3,071.4
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3392
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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