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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
70
左右 -159% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
27
读取速度,GB/s
4,372.7
17.5
写入速度,GB/s
3,071.4
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3693
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
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