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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
70
左右 -250% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.4
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
20
读取速度,GB/s
4,372.7
16.0
写入速度,GB/s
3,071.4
7.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2414
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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INTENSO M418039 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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