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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

总分
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB 需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 70
    左右 -119% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 3,071.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    70 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    4,372.7 left arrow 11.3
  • 写入速度，GB/s
    3,071.4 left arrow 9.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 2395

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较

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Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
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