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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
70
左右 -192% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.4
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
24
读取速度,GB/s
4,372.7
13.7
写入速度,GB/s
3,071.4
6.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2046
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
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