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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
70
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
28
读取速度,GB/s
4,372.7
19.8
写入速度,GB/s
3,071.4
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3650
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
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