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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
70
左右 -180% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
25
读取速度,GB/s
4,372.7
14.8
写入速度,GB/s
3,071.4
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2340
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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