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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
70
左右 -17% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
60
读取速度,GB/s
4,372.7
15.3
写入速度,GB/s
3,071.4
11.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2359
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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