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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
70
71
左右 1% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
71
读取速度,GB/s
4,372.7
15.5
写入速度,GB/s
3,071.4
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1986
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
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