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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
70
81
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.5
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
81
读取速度,GB/s
4,372.7
12.7
写入速度,GB/s
3,071.4
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1460
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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