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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
60
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
60
读取速度,GB/s
9.4
16.6
写入速度,GB/s
5.5
15.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2813
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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