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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
9.4
15.7
写入速度,GB/s
5.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3226
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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