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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
9.4
18.3
写入速度,GB/s
5.5
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3454
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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