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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
9.4
17.6
写入速度,GB/s
5.5
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2460
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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