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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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更快的读取速度,GB/s
18.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
9.4
18.1
写入速度,GB/s
5.5
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3706
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
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