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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
9.4
14.7
写入速度,GB/s
5.5
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2919
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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