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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 58% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
66
读取速度,GB/s
9.4
16.1
写入速度,GB/s
5.5
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
1810
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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