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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
9.4
18.6
写入速度,GB/s
5.5
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3255
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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