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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
9.4
15.0
写入速度,GB/s
5.5
10.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2636
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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