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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
9.4
15.1
写入速度,GB/s
5.5
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2732
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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