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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
9.4
14.9
写入速度,GB/s
5.5
13.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2836
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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