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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
9.4
15.3
写入速度,GB/s
5.5
10.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2559
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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