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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
89
左右 69% 更低的延时
需要考虑的原因
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.1
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
89
读取速度,GB/s
9.4
14.2
写入速度,GB/s
5.5
7.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
1571
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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