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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
55
左右 49% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
55
读取速度,GB/s
9.4
19.5
写入速度,GB/s
5.5
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2274
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
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