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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
40
读取速度,GB/s
9.4
16.0
写入速度,GB/s
5.5
14.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2965
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
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