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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
9.4
16.0
写入速度,GB/s
5.5
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2917
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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