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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
9.4
15.4
写入速度,GB/s
5.5
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2720
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
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