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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
9.4
14.7
写入速度,GB/s
5.5
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2698
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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