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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
9.4
15.7
写入速度,GB/s
5.5
11.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2776
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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