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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
9.4
14.4
写入速度,GB/s
5.5
10.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2179
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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