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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 53% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
59
读取速度,GB/s
9.4
17.3
写入速度,GB/s
5.5
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
1954
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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