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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
9.4
13.5
写入速度,GB/s
5.5
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2330
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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